KBL410 KBL610 Siliziumbrückengleichrichter KBPC610 Diskrete Halbleiterprodukte
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: MDD
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KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 KBL-Serie
Siliziumbrückengleichrichter Dioden-Brückengleichrichter -Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren
Beschreibung:
Durchgangsloch-Silizium-Brückengleichrichter, Serie KBL, Typ KBL410, 4 Pins, Sperrspannung 1000 V max.Vorwärts... Mehr sehen
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TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP Transistor Bipolare diskrete Halbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: STMicroelectronics
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P
Komplementäre NPN-PNP-Transistoren Bipolare diskrete Halbleiterprodukte
Komplementäre Leistungstransistoren
Beschreibung:
Die Geräte werden in Planartechnik mit „Base Island“-Layout gefertigt.Die resultierenden Transistoren zeigen eine außergewöhnli... Mehr sehen
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D15XB100 Induktionsherd Brückengleichrichter 15A 1000V SIP4
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: SHINDENGEN
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D15X100 D15XB100 SHINDENGEN Brückengleichrichter 15A 1000V SIP4 für Induktionsherd
Technische Produktspezifikationen
Artikelnummer
D15X100
Basis-Teilenummer
D15XB100
EU-RoHS
Freistellung konform
ECCN (USA)
EAR99
Teilestatus
Akt... Mehr sehen
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Diskrete Halbleiter 900V 6A
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: FUJI
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A TO 220F Elektronische Komponenten
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A BIS 220F
Technische Produktspezifikationen
Artikelnummer
FMV06N90E FMH06N90E
Basis-Teilenummer
06N90E
EU-RoHS
Freistellung konform... Mehr sehen
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GT50N322A 50N322 IGBT N-Kanal Diskrete Halbleiter Durchsteckmontage
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Toshiba America Electronic Components
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GT50N322A 50N322 Toshiba America Electronic Components IGBT N-Kanal 1000 V 3-Pin TO-3P(N) DISKRETE IGBT-Komponenten
Technische Produktspezifikationen
Artikelnummer
GT50N322A
Basis-Teilenummer
50N322
EU-RoHS
Freistellung konform
ECCN (USA)
E... Mehr sehen
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Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET N-Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Gleichrichter IOR HEXFET MOSFET N-Kanal 55 V 30 A DPAK Diskrete Halbleiterprodukte
N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
Beschreibung
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um eine... Mehr sehen
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150V 104A Transistoren TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
---IRFB7440PBF 40 V 120 A IRFB4310PBF 100 V 130 A IRFB4115PBF 150 V 104 A
Beschreibung:
Dieser HEXFET®-Leistung... Mehr sehen
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IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRF1404ZPBF Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB Spezifikation:
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
... Mehr sehen
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BTA16-800CW BTA16 TRIAC Thyristor 800V 16A Diskrete Halbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: STMicroelectronics
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BTA16-800CW TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220 Discrete Semiconductor Products Thyristoren --TRIAC Standard 800 V 16 A Durchgangsloch TO-220 T1610, T1635, T1650 BTA16, BTB16Datenblatt für Snubberless™, Logikpegel und standardmäßige 16-A-Triacs Anwendungen• Snubberless Versionen (BTA/BTB..... Mehr sehen
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IHW30N160R2 IGBT-Transistor H30R1602 Leistungshalbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IHW30N160R2 IGBTs Transistoren H30R1602 Soft Switching Series Leistungshalbleiter-IC IHW30N160R2FKSA1Soft-Switching-Serie
Anwendungen:
• Induktives Kochen
• Soft-Switching-Anwendungen
Beschreibung:
TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT mit monolithischer Body-Diode
Merkmale:
• Leistungss... Mehr sehen
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IXYS IXGH24 Diskrete Hochspannungs-IGBT-Halbleiter IXGH24N170
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: IXYS
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IXGH24N170 IXYS Hochspannungs-IGBT IXGH24 IGBT 1700 V 50 A 250 W TO247AD Diskrete Halbleiterprodukte
Spezifikation: Hochspannungs-IGBT NPT 1700 V 50 A 250 W Durchgangsloch TO-247AD
Artikelnummer
IXGH24N170
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
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Zweipoliger BJT Transistor-getrennte Halbleiter PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Nexperia USA Inc.
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Zweipoliger (BJT) Transistor 500V 0,5 PBHV8540X PBHV8540 Nexperia EIN NPN ein niedriger VCEsat (BISS) Hochspannungstransistor NPN
Getrennter niedriger VCEsat (BISS) Hochspannungstransistor der Halbleiter-Produkte-EIn NPN
Beschreibung:
Niedriger VCEsat Hochspannungsdurchbruch NPN im diffe... Mehr sehen
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FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7
Energie BTS282ZE3230AKSA2 MOSFET von Infineon Technologies. Seine Höchstleistungsableitung ist 300000 mW.
Um Teile sicherzustellen werden nicht durch das Massenverpacken, dieses Produkt kommt in Röhrenverpackung mehr ein wenig zu ... Mehr sehen
{"cid":"52884","pid":"19114698","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/60951879_s-w400xh400.jpg","name":"FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7","attrs":{"Preis":"Negotiated","MOQ":"10pieces","Lieferzeit":"2-15days","Marke":"Infineon Technologies\/International Rectifier IOR"}}
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Vishay General Semiconductor
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V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Hochstromdichte TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter DPAK Diskrete Halbleiterprodukte V20PWM45:Oberflächenmontierter TMBS®-Gleichrichter (Trench MOS Barrier Schottky) mit hoher Stromdichte, extrem niedrige VF = 0,35 V bei IF = 5 AV20PWM45COberfl... Mehr sehen
{"cid":"52884","pid":"14527584","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/37025760_s-w400xh400.jpg","name":"V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter","attrs":{"Preis":"Negotiated","MOQ":"10","Lieferzeit":"2-15days","Marke":"Vishay General Semiconductor"}}
F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5 IGBT-MODUL
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: Negotiable
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F3L400R07W3S5B11 650V 200A 3LEVEL INVERTER IGBT MODUL F3L400R07W3S5B11BPSA1
F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5 IGBT MODUL
Anwendungen:
Bewegungssteuerung - Haushaltsgeräte / Industriemotoren
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NXH160T120L2Q2F2S1G IGBT-Module 1200 V 160 A und 650 V 100 A IGBTPower Integrated Module (PIM)
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: Negotiable
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NXH160T120L2Q2F2S1G IGBT-Module 1200V 160A und 650V 100A IGBTPower-Integriertes Modul (PIM)
Leistungsintegriertes Modul PIM IGBT 1200V 160A und 650V 100A NXH160T120L2Q2F2S1G
Anwendungen:
Bewegungssteuerung - Haushaltsgerät / Industriemotor
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NXH450N65L4Q2F2SG I-Typ NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A Diode Lötstifte Power Integrated Module (PIM)
Preis: Negotiated
MOQ: 1
Lieferzeit: Negotiable
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NXH450N65L4Q2F2SG I-Typ NPC 650V 450A IGBT 650V 375A Diodenlöterstangen Leistungsintegriertes Modul (PIM)
Anwendungen:
Bewegungssteuerung - Haushaltsgerät / Industriemotor
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NXH80T120L2Q0S2G 1200 V 67 A 158 W 20-PIM IGBT-MODUL
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: Negotiable
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NXH80T120L2Q0S2G 1200V 67A 158W 20-PIM IGBT-Module
NXH80T120 Leistungsintegriertes Modul (PIM) Typ T NPC 1200V 80A IGBT 600V 50A IGBT Schweißfähiges NXH80T120L2Q0S2G
Anwendungen:
Bewegungssteuerung - Haushaltsgerät / Industriemotor
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NXH160T120L2Q1SG NXH160T120 IGBT MOD 1200V 140A 280W 30-PIM
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: Negotiable
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NXH160T120 IGBT-Module 1200V 140A 280W IGBT Power Integrated Module (PIM)
NXH160T120 IGBT MOD 1200V 140A 280W 30-PIM NXH160T120L2Q1SG
Anwendungen:
Bewegungssteuerung - Haushaltsgeräte / Industriemotoren
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I2C-Bus-kontrollierter Verstärker IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Philip
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Leistungsfähigkeits-Verstärker IC Busses TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS I2C kontrollierter bester
Zusammenfassung von Eigenschaften
Das TDF8546 ist eins einer neuen Generation der ergänzendes Viererkabel Brücke-gebundenen Audioendverstärker der Last (BTL), die für Automobilanwe... Mehr sehen
{"cid":"52884","pid":"31285825","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/118094748_s-w400xh400.jpg","name":"I2C-Bus-kontrollierter Verst\u00e4rker IC TDF8546 DF8546JV\/N2Z TDF8546J\/N2 TDF8546JS","attrs":{"Preis":"Negotiated","MOQ":"10","Lieferzeit":"2-15days","Marke":"Philip"}}
