China IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A zu verkaufen
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Preis Negotiated
MOQ 10pieces
Lieferzeit 2-15days
Marke Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Ursprungsort China
Certification ROHS
Vorbildliches Number IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Verpackendetails Standardpaket
Zahlungsbedingungen T/T, Western Union
Versorgungs-Fähigkeit 500000PCS

Produktdetails

Produktspezifikationen

Brand Name Infineon Technologies/International Rectifier IOR Vorbildliches Number IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Certification ROHS Ursprungsort China
Mindestbestellmenge 10pieces Price Negotiated
Zahlungsbedingungen T/T, Western Union Versorgungs-Fähigkeit 500000PCS
Lieferfrist 2-15days Verpackendetails Standardpaket
Familie Diskrete Halbleiterprodukte Kategorie Elektronische Komponenten-MOSFET (Metalloxid)
Reihe HEXFET-MOSFET (Metalloxid) Niedrige Teilnummer IRFB4
Details N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB Art Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Beschreibung Transistoren MOSFET N-CH TO220AB Paket TO220
Befestigung der Art Durch Loch Lagerbestand Vorräte

Produktbeschreibung

IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150V 104A Transistoren TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs

 

Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs

---IRFB7440PBF 40 V 120 A IRFB4310PBF 100 V 130 A IRFB4115PBF 150 V 104 A

 

Beschreibung:
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB Spezifikation:

Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
 
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Herst
Infineon-Technologien
Serie
HEXFET®
Paket
Rohr
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
180A (TC)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3,7 mOhm bei 75 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ ID
4 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC bei 10 V
Vgs (max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF bei 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (TC)
Betriebstemperatur
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Befestigungsart
Durchgangsloch
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basisproduktnummer
IRF1404

 
 

Umwelt- und Exportklassifikationen
ATTRIBUT BEZEICHNUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
 

 
 

 

 

Angel Technology Electronics Co

Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
  • Jahresumsatz: 80 millions-500 millions
  • Angestellte: 20~200
  • Jahr gegründet: 2006