Preis | Negotiated |
MOQ | 10pieces |
Lieferzeit | 2-15days |
Marke | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
Ursprungsort | China |
Certification | ROHS |
Vorbildliches Number | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
Verpackendetails | Standardpaket |
Zahlungsbedingungen | T/T, Western Union |
Versorgungs-Fähigkeit | 500000PCS |
Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Vorbildliches Number | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
Certification | ROHS | Ursprungsort | China |
Mindestbestellmenge | 10pieces | Price | Negotiated |
Zahlungsbedingungen | T/T, Western Union | Versorgungs-Fähigkeit | 500000PCS |
Lieferfrist | 2-15days | Verpackendetails | Standardpaket |
Familie | Diskrete Halbleiterprodukte | Kategorie | Elektronische Komponenten-MOSFET (Metalloxid) |
Reihe | HEXFET-MOSFET (Metalloxid) | Niedrige Teilnummer | IRFB4 |
Details | N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB | Art | Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Beschreibung | Transistoren MOSFET N-CH TO220AB | Paket | TO220 |
Befestigung der Art | Durch Loch | Lagerbestand | Vorräte |
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150V 104A Transistoren TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
---IRFB7440PBF 40 V 120 A IRFB4310PBF 100 V 130 A IRFB4115PBF 150 V 104 A
Beschreibung:
Dieser
HEXFET®-Leistungs-MOSFET
verwendet
die
neuesten
Verarbeitungstechniken,
um
einen
extrem
niedrigen
Einschaltwiderstand
pro
Siliziumfläche
zu
erreichen.
Weitere
Merkmale
dieses
Produkts
sind
eine
Sperrschichtbetriebstemperatur
von
175
°C,
eine
schnelle
Schaltgeschwindigkeit
und
eine
verbesserte
Bewertung
für
wiederholte
Lawinen.Diese
Eigenschaften
machen
dieses
Design
zu
einem
äußerst
effizienten
und
zuverlässigen
Gerät
für
den
Einsatz
in
einer
Vielzahl
von
Anwendungen.
N-Kanal
180A
(Tc)
200W
(Tc)
Durchgangsloch
TO-220AB
Spezifikation:
Kategorie
|
Diskrete
Halbleiterprodukte
|
Transistoren
-
FETs,
MOSFETs
-
Single
|
|
Herst
|
Infineon-Technologien
|
Serie
|
HEXFET®
|
Paket
|
Rohr
|
FET-Typ
|
N-Kanal
|
Technologie
|
MOSFET
(Metalloxid)
|
Drain-Source-Spannung
(Vdss)
|
40
V
|
Strom
-
Kontinuierlicher
Abfluss
(Id)
bei
25
°C
|
180A
(TC)
|
Antriebsspannung
(Max
Rds
Ein,
Min
Rds
Ein)
|
10V
|
Rds
Ein
(Max)
@
Id,
Vgs
|
3,7
mOhm
bei
75
A,
10
V
|
Vgs(th)
(Max)
@
ID
|
4
V
bei
250
µA
|
Gate-Ladung
(Qg)
(Max)
@
Vgs
|
150
nC
bei
10
V
|
Vgs
(max.)
|
±20V
|
Eingangskapazität
(Ciss)
(Max)
@
Vds
|
4340
pF
bei
25
V
|
FET-Funktion
|
-
|
Verlustleistung
(max.)
|
200W
(TC)
|
Betriebstemperatur
|
-55
°C
~
175
°C
(TJ)
|
Befestigungsart
|
Durchgangsloch
|
Gerätepaket
des
Lieferanten
|
TO-220AB
|
Paket
/
Koffer
|
TO-220-3
|
Basisproduktnummer
|
IRF1404
|
ATTRIBUT | BEZEICHNUNG |
---|---|
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
REACH-Status | REACH Unberührt |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |