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| Preis | Negotiated |
| MOQ | 10 |
| Lieferzeit | 2-15days |
| Marke | Vishay General Semiconductor |
| Ursprungsort | China |
| Certification | ROHS |
| Vorbildliches Number | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| Verpackendetails | Standardpaket |
| Zahlungsbedingungen | T/T, Western Union |
| Versorgungs-Fähigkeit | 500000PCS |
| Brand Name | Vishay General Semiconductor | Vorbildliches Number | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| Certification | ROHS | Ursprungsort | China |
| Mindestbestellmenge | 10 | Price | Negotiated |
| Zahlungsbedingungen | T/T, Western Union | Versorgungs-Fähigkeit | 500000PCS |
| Lieferfrist | 2-15days | Verpackendetails | Standardpaket |
| Familie | Diskrete Halbleiterprodukte-Gleichrichter | Kategorie | elektronische Bauelemente |
| Reihe | TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter | Niedrige Teilnummer | V20PWM45 |
| Details | Diode Schottky 45 V 20 A Oberflächenmontage SlimDPAK | Art | Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK | Paket | DPak (2 Leitungen + Tab), TO263 |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg | Lagerbestand | Vorräte |
V20PWM45
V20PWM45C-M3/I
Vishay
Semiconductor
Hochstromdichte
TMBS
Trench
MOS
Barrier
Schottky
Gleichrichter
DPAK
Diskrete
Halbleiterprodukte
V20PWM45:Oberflächenmontierter
TMBS®-Gleichrichter
(Trench
MOS
Barrier
Schottky)
mit
hoher
Stromdichte,
extrem
niedrige
VF
=
0,35
V
bei
IF
=
5
A
V20PWM45COberflächenmontierter
TMBS®-Gleichrichter
mit
hoher
Stromdichte
(Trench
MOS
Barrier
Schottky)
Ultra
Low
VF
=
0,39
V
bei
IF
=
5
A
ANWENDUNGEN
Für
den
Einsatz
in
Niederspannungs-Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern,
Freilaufdioden
und
Verpolschutzanwendungen
MERKMALE
•
Sehr
niedriges
Profil
–
typische
Höhe
von
1,3
mm
•
Trench-MOS-Schottky-Technologie
•
Ideal
für
die
automatisierte
Bestückung
•
Geringer
Durchlassspannungsabfall,
geringe
Leistungsverluste
•
Hocheffizienter
Betrieb
•
Erfüllt
MSL
Level
1
gemäß
J-STD-020,
LF-Maximalspitze
von
260
°C
•
AEC-Q101-qualifiziert
erhältlich
-
Automobil-Bestellcode:
Basis
P/NHM3
•
Materialkategorisierung
Beschreibung
Dieser
HEXFET®-Leistungs-MOSFET
verwendet
die
neuesten
Verarbeitungstechniken,
um
einen
extrem
niedrigen
Einschaltwiderstand
pro
Siliziumfläche
zu
erreichen.
Weitere
Merkmale
dieses
Produkts
sind
eine
Sperrschichtbetriebstemperatur
von
175
°C,
eine
schnelle
Schaltgeschwindigkeit
und
eine
verbesserte
Bewertung
für
wiederholte
Lawinen.Diese
Eigenschaften
machen
dieses
Design
zu
einem
äußerst
effizienten
und
zuverlässigen
Gerät
für
den
Einsatz
in
einer
Vielzahl
von
Anwendungen.
Merkmale
:
Fortschrittliche
Prozesstechnologie
Extrem
niedriger
On-Widerstand
175
°C
Betriebstemperatur
Schnelles
Schalten
Wiederkehrende
Lawinen
Zulässig
bis
zu
Tjmax
D-Pak
IRLR3915PbF
I-Pak
IRLU3915PbF
Lea
|
Kategorie
|
Diskrete
Halbleiterprodukte
|
|
Dioden
-
Gleichrichter
-
Single
|
|
|
Herst
|
Vishay
General
Semiconductor
–
Geschäftsbereich
Dioden
|
|
Serie
|
Automobil,
AEC-Q101,
eSMP®,
TMBS®
|
|
Paket
|
Tape
&
Reel
(TR)
|
|
Teilestatus
|
Aktiv
|
|
Diodentyp
|
Schottki
|
|
Spannung
-
DC
umgekehrt
(Vr)
(max.)
|
45
V
|
|
Strom
-
Mittelwert
gleichgerichtet
(Io)
|
20A
|
|
Spannung
-
Vorwärts
(Vf)
(Max)
@
If
|
660
mV
bei
20
A
|
|
Geschwindigkeit
|
Schnelle
Wiederherstellung
=
<
500
ns,
>
200
mA
(Io)
|
|
Strom
-
Rückwärtsleckage
@
Vr
|
700
µA
bei
45
V
|
|
Kapazität
@
Vr,
F
|
3100
pF
bei
4
V,
1
MHz
|
|
Befestigungsart
|
Oberflächenmontage
|
|
Paket
/
Koffer
|
TO-252-3,
DPak
(2
Leitungen
+
Lasche),
SC-63
|
|
Gerätepaket
des
Lieferanten
|
SlimDPAK
|
|
Betriebstemperatur
–
Verbindungsstelle
|
-40
°C
~
175
°C
|
|
Basisproduktnummer
|
V20PWM45
|
| Artikelnummer | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| Basis-Teilenummer | V20PWM45C-M3/I |
| EU-RoHS | Freistellung konform |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Teilestatus | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Artikelnummer | MFG | Pakettyp |
| BYV26C | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAY Halbleiter | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAY Halbleiter | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV26C-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| SI2309CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2301CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SF1600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| SF1600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| SI2333CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2304DDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2302CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SBYV26C | VISHAY Halbleiter | DO-41 |
| BZX55C24-TAP | VISHAY Halbleiter | DO-35 |
| BYV27-200 | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV27-200-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV28-200-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-64 |
| SBYV26C | VISHAY Halbleiter | DO-41 |
