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| Preis | Negotiated |
| MOQ | 10 |
| Lieferzeit | 2-15days |
| Marke | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Ursprungsort | China |
| Certification | ROHS |
| Vorbildliches Number | IRLR3915TRPBF |
| Verpackendetails | Standardpaket |
| Zahlungsbedingungen | T/T, Western Union |
| Versorgungs-Fähigkeit | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Vorbildliches Number | IRLR3915TRPBF |
| Certification | ROHS | Ursprungsort | China |
| Mindestbestellmenge | 10 | Price | Negotiated |
| Zahlungsbedingungen | T/T, Western Union | Versorgungs-Fähigkeit | 500000PCS |
| Lieferfrist | 2-15days | Verpackendetails | Standardpaket |
| Familie | Diskrete Halbleiterprodukte | Kategorie | Elektronische Komponenten-MOSFET (Metalloxid) |
| Reihe | HEXFET-MOSFET (Metalloxid) | Niedrige Teilnummer | IRLR3915 |
| Details | N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak | Art | Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | Paket | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg | Lagerbestand | Vorräte |
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Gleichrichter IOR HEXFET MOSFET N-Kanal 55 V 30 A DPAK Diskrete Halbleiterprodukte
N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
Beschreibung
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Merkmale :
Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger On-Widerstand 175 °C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Wiederkehrende Lawinen Zulässig bis zu Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
| Artikelnummer | IRLR3915TRPBF |
| Basis-Teilenummer | IRLR3915 |
| EU-RoHS | Freistellung konform |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Teilestatus | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
|
Kategorie
|
Diskrete
Halbleiterprodukte
|
|
Transistoren
-
FETs,
MOSFETs
-
Single
|
|
|
Herst
|
Infineon-Technologien
|
|
Serie
|
HEXFET®
|
|
Paket
|
Tape
&
Reel
(TR)
|
|
Teilestatus
|
Aktiv
|
|
FET-Typ
|
N-Kanal
|
|
Technologie
|
MOSFET
(Metalloxid)
|
|
Drain-Source-Spannung
(Vdss)
|
55
V
|
|
Strom
-
Kontinuierlicher
Abfluss
(Id)
bei
25
°C
|
30A
(TC)
|
|
Antriebsspannung
(Max
Rds
Ein,
Min
Rds
Ein)
|
5V,
10V
|
|
Rds
Ein
(Max)
@
Id,
Vgs
|
14
mOhm
bei
30
A,
10
V
|
|
Vgs(th)
(Max)
@
ID
|
3
V
bei
250
µA
|
|
Gate-Ladung
(Qg)
(Max)
@
Vgs
|
92
nC
bei
10
V
|
|
Vgs
(max.)
|
±16V
|
|
Eingangskapazität
(Ciss)
(Max)
@
Vds
|
1870
pF
bei
25
V
|
|
FET-Funktion
|
-
|
|
Verlustleistung
(max.)
|
120W
(TC)
|
|
Betriebstemperatur
|
-55
°C
~
175
°C
(TJ)
|
|
Befestigungsart
|
Oberflächenmontage
|
|
Gerätepaket
des
Lieferanten
|
D-Pak
|
|
Paket
/
Koffer
|
TO-252-3,
DPak
(2
Leitungen
+
Lasche),
SC-63
|
|
Basisproduktnummer
|
IRLR3915
|
