1N5822 SS34 Schottky-Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage 3,0 A, 40 V
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: JI/ONSEMI
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1N5822 SS34 Schottky Barrier Rectifier 3.0A 40V geeignet für den Einsatz als Gleichrichter in Niederspannungs-Hochfrequenz-Wechselrichtern
Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode.
Die hochmoderne Geometrie des ... Mehr sehen
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Silikon-Epitaxial- planares der Schaltdiode-1SS226 für ultra Hochgeschwindigkeitsschaltung
Preis: Negotiated
MOQ: 100pcs
Lieferzeit: 2-15days
Marke: ROHM Semiconductor
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Silikon-Epitaxial- planares der Schaltdiode-1SS226 für Ultra-Hoch-Geschwindigkeits-Schaltung
1. Anwendungen
• Ultra-Hoch-Geschwindigkeits-Schaltung
2. Eigenschaften
(1) qualifizierte AEC-Q101
Eigenschaft
Hochgeschwindigkeitsschaltung
Interne Verbindung
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Ultraschnelle IGBT 31A 600V Dioden-Transistoren STGWA19NC60HD GWA19NC60HD
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: STMicroelectronics
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STGWA19NC60HD GWA19NC60HD ultraschnelles IGBT 31 A 600 V schnelles IGBT mit ultraschneller Diode
Transistoren - IGBTs - einzelnes 31 A, 600 V, sehr schnelles IGBT mit ultraschneller Diode
Produktdetails
Beschreibung:
Dieses Gerät ist ein ultraschnelles IGBT.
Es verwendet den modernen Pro... Mehr sehen
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Differenzielle Diode der FDLL4148 Gleichrichterdiode-Energie-Schaltungs-LL34 1N4148
Preis: Negotiated
MOQ: 100pcs
Lieferzeit: 2-15days
Marke: FAIRCHILD/ONSEMI
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Differenzielle Diode der FDLL4148 Gleichrichterdiode-Energie-Schaltungs-LL34 1N4148 MINI-MELF SOD80
Die Glas-beiliegende Schaltdiode ll-34, die durch gaot eingeführt wird, hat hohe Stabilität und Zuverlässigkeit, niedrigen Rückdurchsickernstrom,
Schaltverzögerung weniger als 4.0ns, Höchstleist... Mehr sehen
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Halbleiter-Transistoren Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW DTC123YUA ROHM
Preis: Negotiated
MOQ: 100pcs
Lieferzeit: 2-15days
Marke: ROHM Semiconductor
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Halbleiter-Transistoren Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin DTC123YUAT106 DTC123YUA ROHM
DTC123YUA-Reihe 50 V 100 Transistor MAoberflächenberg-NPN Digital - SC-70
Zahl des verwandten Produkts:
Mfr-Teil #
Beschreibung
Paket
DTC123EM3T5G
Transport PREB... Mehr sehen
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DF10S2 DF10S Einphasen-Brückengleichrichterdiode 1 kV 1,5 A 4-polig SDIP SMD
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Diodes Incorporated
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DF10S2 DF10S Gleichrichter-Brückendiode Einzelne 1 kV 1,5 A 4-polige SDIP-SMD-Dioden integriert
DF10S2 Gleichrichter Brückendiode Single 1KV 2A 4-Pin
DF10S Gleichrichter Brückendiode Single 1KV 1A 4-Pin
DF005S
DF01S2
DF02S2
DF04S
DF06S
DF08S
Spezifikation :
Artikelnummer
D... Mehr sehen
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60 V 10,8 A Dioden Transistoren FETS DMT6009LSS-13 Einzel-MOSFET N-Kanal
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Diodes
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DMT6009LSS-13 einzelne Transistoren MOSFET N Kanal-60V 10.8A
Getrennter Halbleiter FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Spezifikation DMT6009LSS-13:
Teilnummer
DMT6009LSS-13
Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
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Sperren-Gleichrichterdiode-Transistoren MOSFET-Brückengleichrichter IC SS36 SMB Schottky
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: vishay/ours
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der Sperren-Gleichrichterdiode-Transistoren MOSFET-Brückengleichrichter 3A SS36 SMB angebrachtes Schottky elektronisches Oberflächenbauelement
Name:
Gleichrichterdiode Sperre Pakets SMD Schottky 3A SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320 SMA/DO-214AC
Modell nein:
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TDA7297 TDA7294V Audioverstärker IC AMP AB MONO 100W 15 Multiwatt
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: STMicroelectronics
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TDA7297 TDA7294V TDA2050V TDA2040V TDA2030V TDA2005R TDA2003V
AMPLIFICADOR DE AUDIO Verstärker-IC Elektronische Komponenten
100 V, 100 W DMOS-Audioverstärker mit Mute/st-by
Produktdetails
Beschreibung :
Der TDA7294 ist ein monolithisch integrierter Schaltkreis im Multiwatt15-Gehäuse, der... Mehr sehen
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2N7002K 2V7002K Dioden Transistoren N-Kanal Signal Mosfet 60V 380mA
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Onsemi
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2N7002K 2V7002K Signal Mosfet N-Kanal Kleine 60V 380mA Halbleiterkomponenten Discrete&Power Module
2N7002K 2V7002K N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 60 V 380 mA
Anwendungen:
Low-Side-Load-Schalter
Pegelverschiebungsschaltungen
DC-DC-Wandler
Tragbare Anwendungen, dh DSC, PDA, Handy usw.
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1SMB5918B 5,1-V-Zenerdiode DO-214AA Diskreter SMB-Halbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Rectron/OEM
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1SMB5918B Zenerdiode ±5 % Oberflächenmontierbarer DO-214AA Diskreter SMB-Halbleiter
Spezifikation :
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden - Zener - Single
Artikelnummer
1SMB5918B
Paket
Tape & Reel (TR)
Teilestatus
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SMC B530C Zener-Dioden-Transistoren 30 V 5 A Leistungs-Schottky-Diode
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: JI
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B530C Zenerdiode SCHOTTKY 30V 5A SMC Diskreter Halbleiter
Spezifikation :
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden - Diode SCHOTTKY
Artikelnummer
B530C
Paket
Tape & Reel (TR)
Teilestatus
Aktiv
Spannung - Ze... Mehr sehen
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GP BJT NPN 60V 50mA Dioden Transistoren CMPT2484 Zentraler Halbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Central Semiconductor
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CMPT2484 Zentraler Halbleiterdiodentransistor GP BJT NPN 60 V 50 mA 3-Pin SOT-23 Diskreter Halbleiter
Spezifikation :
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden - Diode SCHOTTKY
Artikelnummer
CMPT2484TR
Paket
Tape & Reel (TR)
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D2SBA60-7000 D2SBA60 SHINDENGEN ELEKTRONISCHER FEXIGE CO LTD
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: Negotiable
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D2SBA60 Shindengen Einzel 600V 1.5A 4-Pin Dioden-Rectifier Brücken D2SBA60-7000
Am beliebtestenDioden zur Breitenausrichtung:
MB6S-E3/80Die Bezeichnung "R" ist die Bezeichnung für das Produkt, das in der Verpackung verwendet wird.MB10SKBP206GDer Wert der Zinssätze wird nach Maßgabe der Zins... Mehr sehen
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Elektronische Bauelemente Halbleiters SSM3K36MFV MOSFET Toshiba
Preis: Negotiated
MOQ: 100pcs
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Toshiba Semiconductor
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Elektronische Bauelemente Halbleiters SSM3K36MFV MOSFET Toshiba
Eigenschaften
Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Mfr
Toshiba-Halbleiter und -speicher
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MJE182 Leistungstransistor Bipolar (BJT) Einzeltransistor NPN 80V bis 225 MJE182G
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: Negotiable
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MJE182 LEISTUNGSTRANSISTOR Bipolar (BJT) Einzeltransistor NPN 80V TO-225 MJE182G
Bipolar (BJT) Einzeltransistor NPN 80V 3A 1,5W TO-225 Durchsteckmontage
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