Hohe Härte, hohe Temperaturbeständigkeit, chemische Korrosionsbeständigkeit Keramikarm für Halbleiterausrüstung

Keramikarm Zirkonoxid-Keramik1. Es besitzt eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, chemische Korrosionsbeständigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit und Magnetresistenz, wodurch es in extrem rauen Umgebungen ohne Kontamination von Materialien oder der Umwelt eingesetzt werden kann.2. Es zeichnet sich durch hohe Zähigkeit, hohe Biegefestigkeit und hohe Verschleißfestigkeit sowie ausgezeichnete Wärmedämmeigenschaften mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten aus, der dem von Stahl nahe kommt.Nano-AluminiumoxidAufgrund seiner feinen Partikelgröße kann Nano-Aluminiumoxid zur Herstellung von synthetischen Edelsteinen, Analysereagenzien sowie Nano-Katalysatoren und -Trägern verwendet werden. Bei der Verwendung in Leuchtstoffen kann es deren Leuchtintensität erheblich steigern. Für Keramik- und Gummiverstärkungen ist es um ein Vielfaches effektiver als gewöhnliches Aluminiumoxid, insbesondere bei der Verbesserung der Dichte, Oberflächenglätte und Wärmefestigkeit von Keramiken. Nano-Aluminiumoxid wird hauptsächlich in Schlüsselkomponenten von YGA-Laserkristallen und integrierten Schaltungssubstraten verwendet und wird auch Beschichtungen zugesetzt, um die Verschleißfestigkeit zu verbessern. Hochleistungs-Keramikarm, der für Halbleiterfertigungsanwendungen entwickelt wurde, die außergewöhnliche Präzision und Haltbarkeit erfordern. Produktmerkmale Materialeigenschaften: Hohe Härte, hohe Temperaturbeständigkeit, chemische Korrosionsbeständigkeit Hochpräzisionsbearbeitung: Die Ebenheit der Düsenposition kann innerhalb von 0,02 mm gesteuert werden Kundenspezifisches Design: Anpassbare Größen (bis zu ca. 400 mm) und Lochpositionen, kompatibel mit gängigen Halbleitergeräten Mechanische Eigenschaften Eigenschaft Einheit Siliziumkarbid Dichte g/cm³ 3,15 Vickers-Härte Hv0.5 2650 Biegefestigkeit MPa 450 Druckfestigkeit MPa 2650 Elastizitätsmodul GPa 430 Bruchzähigkeit MPa*m¹/² 4 Poissonsche Zahl 0,14 Youngscher Modul GPa 430 Reinheit des Siliziumkarbid-Rohmaterials % 99 Thermische Eigenschaften Eigenschaft Einheit Siliziumkarbid Wärmeleitfähigkeit bei 25°C W/mK 110 Schmelzpunkt °C 2800 Spezifische Wärme J/g*K 0,8 Linearer Ausdehnungskoeffizient 10⁻⁶/K 4 Elektrische Eigenschaften Eigenschaft Einheit Siliziumkarbid Dielektrizitätskonstante 1MHz 10 Durchschlagsspannung V/cm 1×10⁶ Dielektrischer Verlust 1MHz 0,001 Spezifischer Widerstand Ω*cm 10²-10⁶