Nitrid-Keramik des Silikon-Si3N4

Das keramische Material für extreme Anwendungen Silikonnitride (Si3N4) kennzeichnen Sie eine ausgezeichnete Kombination von Materialeigenschaften. Sie sind fast so hell wie Silikonkarbid (sic), aber ihre Mikrostruktur gibt ihnen ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit und ihre hohe Bruchhärte macht sie beständig gegen Auswirkungen und Schocks.    Silikonnitrid (Si3N4)hateinenaußergewöhnlichenSatzEigenschaften: hohe Härte; hohe Korrosionsbeständigkeit; niedrige Dichte; Stabilität in einer breiten Palette von Temperaturen; Präzisionsbearbeitungsfähigkeit.   Alle diese Kombinationen machen das Material unersetzlich in der Produktion von korrosionsbeständigen, haltbaren und hitzebeständigen Produkten für eine Vielzahl von Industrien.  Grundlegende Eigenschaften des Materials Eigenschaften Marke des Materials Zusammensetzung SN Si3N4 Dichte, g/sm3 3,2-3,3 Lokalisierte Porosität, % 0 Härte, GPa 13,5-14,0 Biegefestigkeit, MPa 280-310 Druckfestigkeit, MPa 3700-3900 Wärmeleitfähigkeit an 20-100°С, W/mK 20-30 Koeffizient lineare thermische Expansion an 20-1000°С, 10-6 К-1 2,6-3,3 Normalbetriebshöchsttemperatur °С Oxydierende Umwelt Verringerung oder träge Umwelt   1200 160  Die Hauptanwendungen sind: Lager für Pumpen und Kompressoren; keramische Kolben; Bälle für Kugellager; Mahlkörper; Elemente von Ventilen und von Absperrventilen; Zeichnen für Schutz vor Abnutzung und Korrosion; Sortieren von Rädern der verschiedenen reibenden Maschinerie; Wellen von Extrudern (Schrauben), Düsen von Extrudern (Kerne); Abdeckungen und Rohre von Thermoelementen, Stangen; Düsen; Brenner; Produkte für das Papier und die Druckindustrie; Möbel und Futter von Öfen; Substrate, Platten; Produkte für die Hüttenindustrie.     Silikon-Nitrid bezog sich Daten   Hauptkomponente 99%Al2O3 S-SIC ZrO2 Si3N4 KörperlichEigentum Dichte g/cm3 3,9 3,1 6 3,2 Wasseraufnahme % 0 0,1 0 0,1 Sinter-Temperatur °C 1700 2200 1500 1800 MechanischEigentum Rockwell-Härte Hochspg 1700 2200 1300 1400 Biegungs-Stärke kgf/mm2 3500 4000 9000 7000 Kompressions-Intensität Kgf/mm2 30000 20000 20000 23000 ThermalEigentum Maximale FunktionTemperatur °C 1500 1600 1300 1400 thermische ExpansionKoeffizient0-1000°C /°C 8.0*10-6 4.1*10-6 (0-500°C) 9.5*10-6 2.0*10-6 (0-500°C) 5.2*10-6 (500-1000°C) 4.0*10-6 (500-1000°C) Temperaturwechselbeständigkeit T (°C) 200 250 300 400-500 Wärmeleitfähigkeit W/m.k (25°C 31 100 3 25 300°C) 16 100 3 25 ElektrischEigentum Widerstehende Rate des Volumens ◎.cm 　 　 　 　 20°C >1012 106-108 >1010 >1011 100°C 1012-1013 – – >1011 300°C >1012 – – >1011 Isolierungs-ZusammenbruchIntensität KV/mm 18 Halbleiter 9 17,7 Dielektrizitätskonstante (1 MHZ) (e) 10 – 29 7 Dielektrische Ableitung (tg O) 0.4*10-3 – – –