Preis | Negotiable |
MOQ | 2000 |
Lieferzeit | 1-2 weeks |
Marke | CNAMPFORT |
Herkunftsort | China |
Certification | ROHS |
Modellnummer | SMAJ8.0A |
Verpackungsdaten | Band, 2 000 oder 5 000 pro Walze |
Zahlungsbedingungen | T/T |
Versorgungsfähigkeit | 10KKPCS PRO MONAT |
Brand Name | CNAMPFORT | Modellnummer | SMAJ8.0A |
Certification | ROHS | Herkunftsort | China |
Mindestbestellmenge | 2000 | Price | Negotiable |
Zahlungsbedingungen | T/T | Versorgungsfähigkeit | 10KKPCS PRO MONAT |
Lieferzeit | 1-2 Wochen | Verpackungsdaten | Band, 2 000 oder 5 000 pro Walze |
Name | Vorübergehender Spannungs-Unterdrücker | Verkapselung | SMA (DO-214AC) |
Höchstimpulsleistungsableitung | 400 W | Betriebstemperaturbereich | -50 bis 150 °C |
Rückwärts-Stand-off Spannung | 8V | Maximale festklemmende Spannung | 13.6V |
Maximaler Höchstimpuls-Strom | 29.4A | Maximaler Rückfluss | 50 uA |
Oberflächenaufbau DO-214AC Paket Uni-Polar 400W Übergangsspannungsschutz TVS Diode SMAJ8.0A
Eine transiente Spannungsunterdrückungsdiode (TVS) ist eine elektronische Komponente, die zum Schutz elektronischer Geräte vor vorübergehenden Spannungsüberspannungen verwendet wird.wie Spitzen an Spannung, Überspannungen, elektromagnetische Störungen usw., um sensible Schaltungen und Geräte vor Schäden zu schützen.
1Hohe Reaktionsgeschwindigkeit: TVS-Dioden können in Nanosekunden Zeit auf eine vorübergehende Überspannung reagieren und die Überspannung schnell auf Boden oder andere sichere Ebenen lenken, wodurch die geschützte Ausrüstung geschützt wird.
2. Niedrigspannungsentladung: TVS-Dioden haben unter normalen Betriebsbedingungen einen hohen Widerstand und haben keinen signifikanten Einfluss auf die normale Betriebsspannung.Es wird schnell zu einem niedrigen Widerstandszustand., die vorübergehende Überspannung an die Erde leitet.
3. Hohe Energieabsorptionsfähigkeit: TVS-Dioden können eine große Menge an Energie absorbieren, um die geschützte Ausrüstung vor Überspannungsschäden zu schützen.damit andere elektronische Komponenten geschützt werden.
4. Wiederverwendbar: TVS-Dioden können mehrfach auf vorübergehende Überspannungen reagieren und sie absorbieren und haben die Eigenschaft, wiederverwendbar zu sein.Sie kann nach der Wiederherstellung der normalen Arbeitsbedingungen wieder Schutz bieten.TVS-Dioden werden in elektronischen Geräten, insbesondere in Kommunikationsgeräten, Computern, Stromversorgung, industrieller Steuerung und anderen Bereichen weit verbreitet.Sie werden häufig zum Schutz empfindlicher Halbleitergeräte (z. B. integrierter Schaltungen) verwendet., Dioden, Transistoren usw.) von Spannungsspitzen und Spannungsüberspannungen, wodurch Schäden an Geräten und Datenverlust verhindert werden.
- Ausgezeichnete Klemmfähigkeit
- Niedriger Leckstrom
- Niedrige Kapazität
- Hochspannungsfähigkeit
- Glas-passivisierter Chip
- Verpackung aus Epoxidharz
- Eingebettete Belastungsentlastung
- Wir werden nicht müde.
- RoHS-konform
- Schnelle Reaktionszeit: typischerweise weniger als 1,0 Sekunden von 0 Volt bis VBR min
- Verpackung: SMA Plastikpackung.
- Bleifinieren: Matte Zinn
- Gehäusematerial: Epoxystaubverbindung.
- UL Entflammbarkeit Klassifizierung 94V-0
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020
Telekommunikation
Computer
Industrieelektronik
Verbraucherelektronik
Nummer des Teils (Uni) | Kennzeichnungskode - Uni | Rückwärtsstehen abgeschaltet Spannung VR (V) | Ausfallspannung VBR @ IT (V) Min | Ausfallspannung VBR @ IT (V) Max. | Prüfstrom IT (mA) | Höchstspannung VC@IPP (V) | Höchstspitzenimpulsstrom IPP (A) | Maximaler Umkehrdurchfluss IR @ VR (μA) |
SMAJ8.0A | HR | 8V | 8.89 | 9.83 | 1 | 13.6 | 29.4 | 50 |
- SMD Power TVS -200W SMF -400W SMA -400W P4SMA -600W SMB -600W P6SMB -1000W 1.0SMB -1500W 1.5SMB -1500W SMC -6000W P5T -3000W SMD -5000W 5.0SMD -4600W/3600W SM6S -6600W/5200W SM8S
- LED-Power TVS -3000W 3KP -5000W 5KP -8000W P8S -12000W P12S -15000W 15KP -20000W 20KP -30000W 30KP -400W P4KE -600W P6KE -1500W 1.5KE
ESD-Suppressor: ESD - Halbleiter, ESD ESD - Polymer ESD
Schutztyristor (TSS)
DIODE/MOS:Analog-IC, Schottky-Schrankmodiode, Zenerdiode, Diode, Schalttransistor, Bipolar Junction Transistor, Feldwirkungstransistor